行业新闻
编号：38
查看：21372020-10
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MOS管的结构原理
MOS的优势
1. 可应用于放大，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器
结构和符号 (以N沟道增强型为例) —— 在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
其他MOS管符号：
工作原理（以N沟道增强型为例）
VDS↑ → ID不变
MOS管降压电路
图中Q27是N沟道MOS管，U22A的1脚输出高电平时Q27导通，将VCC—DDR内存电压降压，得到1.2V—HT总线供电，而U22A的1脚输出低电平时Q27截止，1.2V_HT总线电压为0V。
MOS管的应用领域
1. 工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源
2. 新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机
3. 交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车
4. 绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器
1. 可应用于放大，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器
2. 很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换
3. 可以用作可变电阻
4. 可以方便地用作恒流源
5. 可以用作电子开关
6. 在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作；另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配
结构和符号 (以N沟道增强型为例) —— 在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
其他MOS管符号：
工作原理（以N沟道增强型为例）
- VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道
- VGS=0，ID=0
- VGS必须大于0，管子才能工作
- VGS＞0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道
- VGS＞0 → g吸引电子 → 反型层 → 导电沟道
- VGS↑ → 反型层变厚 → VDS↑ → ID↑
- ↑D↑ → IDS较小时：VDS时而VT ≥ VGS V
- VT：开启电压，在VDS作用下开始导电时的VGS，VT = VGS — VDS
VGS 》0且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。
MOS管降压电路
图中Q27是N沟道MOS管，U22A的1脚输出高电平时Q27导通，将VCC—DDR内存电压降压，得到1.2V—HT总线供电，而U22A的1脚输出低电平时Q27截止，1.2V_HT总线电压为0V。
MOS管的应用领域
1. 工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源
2. 新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机
3. 交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车
4. 绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器
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